年，我整理编辑出来了全球存储简史（第一版）。
三年后，我再次整理出来了全球存储简史（第二版）。
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存储
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！
一滴水可以折射出太阳的光辉，一个数据可以告知你整个世界。一花一世界,一叶一菩提。希望全球存储观察这篇字的小文章，可以带给你更多的认知。此外，不足之处，还望各位大师多多指正。
⊙1盘古开天地：古代的数据，如何存储？
上古无文字，结绳以记事。
《易．系辞下》：“上古结绳而治，后世圣人易之以书契。”孔颖达疏曰：“结绳者，郑康成注云，事大大结其绳，事小小结其绳，义或然也。”
19世纪末，在殷代都城遗址今河南安阳小屯一带发现了，刻在龟甲兽骨上的甲骨文。
东汉时候，蔡伦发明了用植物纤维造纸的方法，他用树皮、麻头、破布、渔网等植物原料，经过挫、捣、抄、烘等工艺制造的纸，是现代纸的渊源。
⊙2从本能到智能：现代数据存储百年变迁
从本能到智能，历经百年翻天覆地。
现代的数据存储历经了百年左右，发生了翻天覆地的变化，年前的人怎么能想到现在IOPS可以到万以上的全闪存阵列呢？
在18世纪末到19世纪后期，穿孔磁带和穿孔卡片被用于“程序化”的织机和其他工业机器。这项技术被赫尔曼·霍尔瑞斯特用于为年的人口普查中的数据存储中，他最初设计了一个12行24列数组的圆孔阵列原型。
年在奥地利出现了早期计算机的磁鼓内存，就是磁鼓存储器，主要包括旋转圆筒包围铁磁介质条和一排固定读/写磁头。
一个三维模拟的磁鼓存储器形成一个阵列，相当于一个硬盘，这是一种低成本的实现方法，它大幅提升了存储器的存储能力和速度。磁滚筒存储成功地运用在IBM超级计算机中，并于年发布。IBM长为16英寸，直径4英寸，鼓旋转速度为千赫，可以存储高达8.5KB的数据。
磁鼓存储器在至60年代用作计算机的主要外存储器。它利用电磁感应原理进行数字信息的记录(写人)与再生(读出)，由作为信息载体的磁鼓筒，磁头，读写及译码电路和控制电路等主要部分组成。
不过，磁鼓是利用铝鼓筒表面涂覆的磁性材料来存储数据的。鼓筒旋转速度很高，因此存取速度快。它采用饱和磁记录，从固定式磁头发展到浮动式磁头，从采用磁胶发展到采用电镀的连续磁介质。这些都为后来的磁盘存储器打下了基础。
年1月，Rajchman和他的同事们在RCA发明了选数管，它是一个真空管建立的数字存储设备，存储数据的形式为静态电荷。它包括一个阴极封闭式的圆柱形网格线，同时是一个多层结构包围的金属板，关键部件是写板和阅读板。电线网格划分为写板到存储“孔”，单位为比特。
选择性地应用电压的两个正交双相邻的电线，允许定义任何一点积累(写)或释放(删除)静态电荷。如果读盘捕捉到了该电荷，随后的电子流将读出数据。这个宽76毫米，直径毫米的长型设备每个存储容量为位。
年，世界上第一台具有存储程序功能的计算机EDSAC由冯.诺依曼博士领导设计。它的主要特点是采用二进制，使用汞延迟线作存储器，指令和程序可存入计算机中。
年3月，由ENIAC的主要设计者莱斯特·埃克特和莫奇利设计的第一台通用自动计算机UNIVAC-I交付使用。UNIVAC-I第一次采用磁带机作外存储器，首先用奇偶校验方法和双重运算线路来提高系统的可靠性，并最先进行了自动编程的试验。
为了寻找更好的存储器，人们费尽了心血，几乎所有能利用的物理现象，电、光、声、磁都被探索过来。研制ENIAC的工程师莫齐利(JohnW.Mauchly)想到了水银延迟线（MercuryDelayLine），也是二战期间为*用雷达开发的一种存储装置作为内存。
显然，这些存储技术的发展演变，是数据存储百年变迁的开端。
⊙3磁带：一种经久不灭的介质
到了年代，录音机风靡一时，大家还记得TDK的磁带么，可以录音一个小时左右。
亲，你们还记得磁带转动的方向了么？似乎当时卡带，倒带的记忆还是那样清晰。这滚动的带子，是否勾起你的些许美好的回忆了呢？
还有这样的一堆磁带，曾经也习以为常放在很多人的书房里面。
磁带是很伟大，便宜容量也容易做大，也是所有存储器设备发展中单位存储信息成本最低、容量最大、标准化程度最高的常用存储介质之一。
谁还记得SunStorageTekSL48磁带库，曾经的经典之作。
磁带库是基于磁带的备份系统，它能够提供同样的基本自动备份和数据恢复功能，但同时具有更先进的技术特点。它的存储容量可达到数百PB，可以实现连续备份、自动搜索磁带，也可以在驱动管理软件控制下实现智能恢复、实时监控和统计，整个数据存储备份过程完全摆脱了人工干涉。
照片不好找，各位将就看一下呀。
年美国物理学家王安提出了利用磁性材料制造存储器的思想。福雷斯特则将这一思想变成了现实。为了实现磁芯存储，福雷斯特需要一种物质，这种物质应该有一个非常明确的磁化阈值。他找到了这种电线的网格和芯子织在电线网上，被人称为芯子存储，它的有关专利对发展计算机非常关键。
不过，磁芯儿到底是什么呢？说起来它就是一个个小磁环，是五六十年代计算机的主流存储设备。
它的形状象甜甜圈，每一个小磁环可以通过电流赋予正向的或者反向的磁场，正向的，代表一个二进制的“1”，反向的代表一个“0”，把很多小磁环穿起来，可以以二进制的方式表达某种含义。比如阿拉伯数字“5”，在二进制中是“”。表达阿拉伯数字“5”，只需要三个磁芯儿，第一个带正向磁场，第二个带反向磁场，第三个带正向磁场，顺序排起来，这就是“5”。
用这种方式显然可以存储数据，但您可以想想表达个万八千儿的数字需要多少磁环，表达一句“我爱你”又得用多少磁环？
那么，各位熟知的1KB就是个Byte，需要这样的磁心存储板82块，穿磁芯儿个。如果需要1MB（1兆）呢，要穿多少个？1GB呢？1TB呢？……真要穿，会不会穿死人我就不知道了哈？
但是，在当时，这个方案不仅可靠而且稳定。磁化相对来说是永久的，所以在系统的电源关闭后，存储的数据仍然保留着。既然磁场能以电子的速度来阅读，这使交互式计算有了可能。更进一步，因为是电线网格，存储阵列的任何部分都能访问，也就是说，不同的数据可以存储在电线网的不同位置，并且阅读所在位置的一束比特就能立即存取。这称为随机存取存储器（RAM），它是交互式计算的革新概念。
磁芯存储从20世纪50年代、60年代，直至70年代初，一直是计算机主存的标准方式。自20世纪50年代以来，所有大型和中型计算机也采用了这一系统。（王安的影响还是非常深远的……）
⊙4磁盘存储HDD：顺势而来，汹涌澎湃
幸运的是，早在年，世界上的第一款硬盘终于由IBM设计完成。这款名为IBMRAMAC（RandomAccessMethodofAccountingandControl）的硬盘产品体积十分庞大，但容量仅为5MB，总共使用了50张24英寸的碟片。
年IBM公司制造出第一台采用“温彻斯特”技术的硬盘，从此硬盘技术的发展有了正确的结构基础。它的容量为60MB，转速略低于RPM，采用4张14英寸盘片，存储密度为每平方英寸1.7MB。
年IBM生产的3.5英寸的硬盘使用了MR磁头，使硬盘的容量首次达到了1GB，从此硬盘容量开始进入了GB数量级。不过，IBM的硬盘业务还是没有被守住，因为后来IBM将旗下硬盘部门卖给了日立（Hitachi）公司，日立基于IBM和自己的存储业务进行战略性整合形成了日立环球存储科技公司（HGST）。不过，年3月7日HGST被卖给了美国西部数据公司（WD）。
年9月7日，Maxtor宣布了首块单碟容量高达10.2GB的ATA硬盘，从而把硬盘的容量引入了一个新的里程碑。
0年2月23日，希捷发布了转速高达RPM的CheetahX15系列硬盘，其平均寻道时间仅3.9ms，它也是到目前为止转速最高的硬盘。
硬盘不仅用于各种计算机和服务器中，在磁盘阵列和各种网络存储系统中，它也是基本的存储单元。
当然，现在的磁盘出现了氦气硬盘，以及SMR、HAMR、BPMR、HDMR（BPMR+HMAR技术）、BPMR+（BPMR技术辅以SMR技术）等等高精尖的磁盘技术与工艺。硬盘容量也早就到了TB级。
软盘在年代到20世纪末也是风靡一时，但现在消声匿迹，那就不说了。
还有光盘，也一样在到年代之间比较时兴，不过现在的蓝光技术应用出来后，蓝光光盘库也是一些用户数据存储的常见设备。
⊙5闪存技术SSD：全球兴起，席卷一切
闪存与磁盘现在相提并论了，因此专用数字集成电路芯片、RAM芯片、FLAH芯片都提升了闪存领域的发展。
在年，东芝公司首先提出了快速闪存存储器的概念。年，Intel公司推出了一款Kbit闪存芯片，后来这类闪存被统称为NOR闪存。不过，很快就被叫NAND的闪存抢了风头。NAND由日立公司于年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。
NAND闪存的写周期比NOR闪存短十倍，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、SD、MMC、xD、andPCcards、USBsticks等存储卡上。
闪存的发展，也对固体硬盘发展有所促进。固态硬盘（SolidStateDrives），简称固盘，SSD用固态电子存储芯片阵列而制成的硬盘，由控制单元和存储单元（FLASH芯片、DRAM芯片）组成。
年，SunStorageTek公司开发了第一个固态硬盘驱动器。年，世界上第一款固态硬盘出现。
由于固态硬盘技术与传统硬盘技术不同，所以产生了不少新兴的存储器厂商。厂商只需购买NAND存储器，再配合适当的控制芯片，就可以制造固态硬盘了。新一代的固态硬盘普遍采用SATA-2接口、SATA-3接口、SAS接口、MSATA接口、PCI-E接口、NGFF接口、CFast接口和SFF-接口。
有了磁带、有了磁盘、有了闪存芯片、有了固态硬盘，因而数据存储在加速发展，伴随的相关企业级存储产品的出现如磁盘阵列、虚拟磁带库、大型SAN存储阵列（高端存储）等等。
好奇使人进步，无趣使人落后。当然，现今的数据存储发展，也就日新月异了。包括云存储、软件定义存储、全闪存阵列、NVMe的PCIe闪存卡（盘）等等，存储产品的形态有了更大的变化，对于存储这两个词的定义范伟也就更为广泛和丰富了。
⊙6磁盘的对立面：只是闪存Flash吗？
存储发展了多年，准确地说，不算古代的存储形式，而以年磁鼓存储器诞生算起的话，存储发展至今也近84年了。
其间还涌现了磁带存储，包括现在也有企业级用户继续在使用磁带库存储产品。以及光盘存储，可能有些人还记得10多年以前市面上常见的光盘存储库，当然现在光盘存储介质已经有了蓝光存储这样的创新，据业内人士介绍，中国还有红光存储只是一直没有得到很好的运作，也没推广开来。
与此同时，磁带存储、光盘存储依然在企业级用户市场有所应用，并没有因为年IBM发明硬盘而致使消失殆尽，只是后来硬盘厂商的风起云涌确实让磁带和光盘存储从这个世界上慢慢失去了主流的声音，比如在一些行业用户的数据中心里面，依然可以看到磁带库、光盘库的产品还在应用中。
显然，磁带存储和光盘存储在一些企业级用户的数据备份与归档领域，依然有着其应用的价值。
既然磁带存储和光盘存储并没有因为磁盘的兴起而消失，那么现在我们就来说磁盘的消失是否为期过早呢？
这个问题的答案主要在于闪存的发展是否可以将磁盘逼入一个死胡同，怎么来理解呢？如果要这样去理解，那么现在我们暂且可以狭义地认为：磁盘的对立面就是闪存。
然而，闪存发展又历经了多少磨难呢？
闪存现在最为常见的是SSD产品，如NVMeSSD、SASSSD、SATASSD。SSD因为接口和架构协议不同，存在着各自的优劣点。常见的闪存产品存在三种形态：一是闪存卡；二是闪存盘；三是闪存阵列。
闪存卡更多的是应用在服务器上面，为了提高服务器的存储性能或者直接将闪存当作缓存来使用，对于特定环境下的应用带来的加速效果还是立竿见影的。
闪存盘也是方便混合存储阵列或闪存阵列应用的形态，之前也有闪存厂商推出了采用了SFF-接口的闪存盘支持用户热插拔。当然也有存储厂商推出了支持SFF-接口的PCIeSSD，并且插在服务器里面使用，这种接口的PCIeSSD与主板通信采用的是PCIe信号，因此在性能上确实也能表现出SSD应有的贡献。当然后面，还有更小的模式的闪存盘，如采用U.2和M.2的SSD。
只是这里需要说明一下：U.2接口就是之前的SFF-，U.2是由固态硬盘形态工作组织（SSDFormFactorWorkGroup）推出的接口规范，某些企业级闪存厂商已经推出了U.2的SSD产品。M.2是Intel领头制定接口标准，体积更小接口更快，其原名就是NGFF接口，M.2基本上为超极本（Ultrabook）量身定制的标准，这里就不多谈了。
至于大家目前非常看重的闪存阵列，现在也分混插SSD盘和HDD盘的混合闪存阵列和全闪存阵列两种主要的形态。
单从SSD再往底层去看，就是闪存颗粒了，大家常见的闪存颗粒如SLC、MLC(包括消费级的cMLC和企业级eMLC)、TLC、3DNAND等等，他们有着闪存结构和制造工艺的不同。NAND颗粒的制造工艺和制程，以及晶圆的质量很大程度上决定了闪存颗粒的品质。如果是闪存卡、闪存盘、闪存阵列的制造厂商，一般都会测试闪存晶圆厂的晶圆品质。但通常情况下，晶圆厂会主动提供不同等级的晶圆给闪存厂商，然后后者会根据产品的定位采用不同的晶圆。
就算是同一个闪存晶圆厂商提供的晶圆，按照等级不同，将其封装成闪存卡，做成成品后的品质也就不同了，很大程度上要看闪存卡制造商的产品定位。某些时候我们看到某些闪存卡厂商提供给用户的产品价格低廉，甚至打破了市场常态价，其中的一个猫腻应该就和晶圆有一定关系。
因为市场竞争的残酷，更因为某些用户特别是互联网用户对于闪存卡采购时十分看重价格因素，确实会促成某些闪存厂商以特别低廉的价格成功竞标，往往提供的闪存产品会因为采用晶圆的品质差而导致闪存卡在具体应用时产生故障率高。
从这个逻辑来看，闪存卡的发展，与晶圆厂技术进步和提供的晶圆品质有很大关系。技术进步也可以带来晶圆品质的提升。
对于一些专业的闪存厂商，会对晶圆供应商的晶圆再检测，剔除晶圆坏块，然后进入自己的制造流程进行切割，自行堆叠封装成闪存颗粒。不过，需要指出的是：不同容量的闪存颗粒封装技术难度不同，封装好的闪存颗粒里面可能也会因为封装工艺的技术问题而出现质量的好坏。因此，一些只是采用闪存颗粒不做自己封装的闪存厂商，在收到颗粒厂商的供货之后，自行还需要再次监测颗粒的品质，筛选之后再进入制造流程。这是对最终用户应用闪存的最负责人的表现。
因而，单从闪存晶圆、颗粒、封装等方面来看，闪存就经历了不少故事。正因为闪存发展的丰富多彩，技术也层出不穷，从而带来了闪存整体上对传统磁盘技术的压力。
⊙73DNAND技术：开始技压磁盘群雄
3DNAND的出现，对整个闪存界都带来了很大的机会。相对于2DNAND，3DNAND的好处还是明显的。
广义地说，磁盘的对立面应该是用户长期发展以来出现的创新业务带来的IT挑战。业务在变，自然驱动为业务助力的IT系统、架构、模式都在发生新的转变。能够满足用户业务变化，创新的存储解决之道自然就会成为传统磁盘存储的对立面。但事务发展不是绝对的对立存在，而是在相互对立的发展过程中，呈现出创新方案对传统方案的逐渐取代。从行业整体发展趋势来看，这是一个渐进的过程。从每个用户的实际应用来看，这又是一个迫在眉睫的事情。
回顾过往，存储技术每次大的革新，都是来自用户内部需求变迁的驱动。大趋势如此，那么从3DNAND本身的技术特性和成熟度来分析，逐渐呈现出来一种更优于之前2DNAND成本考量的闪存，有望催化闪存获得新一轮的对磁盘介质的替换过程。
从最新的技术架构来看，现在3DNAND常见的分为VC垂直通道、VG垂直栅极两种架构。架构不同，对于3DNAND的可靠性设计略有一点区别，但闪存的本质是没有区别的。因为毕竟是采用堆栈来扩大单位面积上的闪存容量大小的，目前业界知名的闪存厂商采用了32层堆栈、48层堆栈模式，层数越多，对于闪存可靠性要求的挑战越高。
不过，东芝和WD近两三年来纷纷宣布，已经成功研发并推出64层堆叠的3DNANDFlash，制程工艺当然也受到了巨大的考验，计划将于年上半年开始量产。
作为NANDFlash大厂，三星传出消息说将抢先在年底前开始量产64层3DNAND。但实际上到了年才真正实现。
我们在喜看盖楼大赛的3DNAND制造之余，有多少人会考虑其品质，特别是可靠性和稳定性。另外，相信64层3DNAND更多将首先应用在消费类市场，在企业级市场恐怕还得再等等才有希望。至于层3DNAND，那我们可以翘首以待了。
因此，我们需要一种对待闪存产品品质严肃的态度，才能真正推出利于用户实际应用的高品质闪存产品（SSD）。
可见，我们还是需要希望三星、SKHynix、东芝、闪迪、Intel、美光这六大闪存颗粒厂商，当然闪迪后来被收购了。大家一起并进，才可以提供稳定、可靠、安全的3DNAND，而不是相互盖楼相互捧杀。
同时，一味追求闪存容量、价格与磁盘的PK，这应该是一种非常危险的思路。
磁盘会不会消失，不是闪存过渡的穷追猛打就可以实现的，最终还是由用户大规模的长期应用来验证。
因此，我们在看到闪存阵列替代传统磁盘阵列的一些用户中，呈现出来了大家希望看到的闪存发展趋势。然而也会因为闪存阵列里面采用的SSD配件质量与品质出现问题而大打折扣，有时候我们寄望于闪存软件算法以及固件优化来促进SSD在系统中的整体品质提升，可是，这就好比一个想练就绝世武功的高手，如果只是强调内功（闪存优化算法等软件功能），没有强大过硬的底层高品质芯片与制造工艺技术的强大支撑，绝世武功那也只是一个幻想而已。
内功与外功同步勇猛精进，相信闪存不仅可以得到更佳的价格成本，也同时将获得更可靠、更稳定的性能，从而也在容量上获得新的突破，进而进一步逼近传统HDD的水平。甚至超越HDD，这不是没有可能的。
但在闪存超越HDD传统磁盘之前，最需要做的事情还是在提升性能与容量的同时，实现稳定性、可靠性与安全性的整体抬升。
与此同时，3DNAND正在引发存储大变局。
之前，闪存因高昂的成本问题备受业界和用户争议，3DNAND技术的演进与应用的兴起，引发存储跨越闪存临界点，正在将存储行业推向另一个时代。
来自Wikibon在年发布的数据显示，在未来接下来的5年时间里，SSD每GB成本将会继续下降，到了年左右，SSD每GB单位成本将与HDD持平。其中最大的功劳当然是来自3DNAND的全面量产推动力。
甚至有更乐观的业内人士分析认为，从TCO对比来看，未来SSD有望达到甚至低于HDD。
可见，比较SSD与HDD成本不仅能只是看采购价格，需要从TCO上去考量才更能说明问题。
在3DNAND技术的推动下，使得闪存也愈加符合摩尔定律，每一年半后可以用同样价格买到双倍容量。
3DNAND采用多层堆叠降低颗粒的成本，最早是三星在年研发出32层堆叠的3DNAND产品。大家都知道，到了年，包括三星、美光、Intel、SK海力士、东芝、西部数据（SanDisk）在内的所有全球闪存颗粒顶级厂商都有了32层堆叠的3DNAND产品。
在3DNAND发展的大趋势下，存储厂商帮助用户将存储性能提升与TCO降低获得了前所未有的平衡。
为此，我们也看到全球富有代表性的企业级存储厂商如HPE、NetApp、DellEMC、HitachiVantara等等，相继宣布支持采用3DNAND技术来升级存储阵列，并且市面上也可以看到来自这些存储厂商采用了3DNAND的存储阵列产品。从而可以为企业级用户提供基于闪存配置的高性能存储，相较于传统磁盘存储有着前所未有的性能与成本平衡。
不仅闪存因3DNAND而改变，存储阵列因3DNAND而改变，而且云计算领域也因3DNAND而正在发生改变。
⊙8年：SSD全球市场“血肉横飞”
来自IDCGloableEnterpriseSSDMarketShare的数据显示，Samsung三星占据了企业级SSD全球市场收入的32.5％份额，居于绝对领先的地位；排名老二的英特尔全球企业级SSD市场收入只占到了总体市场的20.6%份额。后面第三名WD西部数据18.2%，第四名Toshiba东芝7.5%，第五名SanDisk闪迪2.7%，第六名建兴(LITEON)2.1%，第七名Micron美光1.9%，其他品牌份额占到14.5%。
因此，从IDC年全球企业级SSD市场收入数据来看，英特尔已经从年的23%下降到了20.6%，下降了2.4个百分点，但是Samsung三星却是一路凯歌，从市场份额只有18%，到年飙升到了32.5%，攀升了24.5个百分点，与英特尔的市场份额差距进一步拉大。
如果只是看企业级市场收入份额对比还不能完全说明问题，要看到SSD整体的体量，那么需要公布一下IDC年全球SSD市场规模变化数据。
年全球SSD市场规模达到了亿美金，这个数字来得比较真实。其中：Samsung三星的企业级SSD和消费级SSD加在一起，占据了39.6%的市场份额，这可是真金白金的SSD市场收入数据哦，并且相比去年同期增长了25.3%。后面排名第二WD13.6%，相比去年同期增长.3%。排名第三Intel12.2%，相比去年增长14.9%。排名第四Toshiba东芝7,相比去年增长.2%。排名第五建兴(LITEON)4.7%，相比去年增长.6%。Micron美光4％左右，相比去年下滑14%，也是唯一一个SSD市场收入下滑的闪存厂商。
随后年Samsung的3DNAND率先引领整个芯片市场，成为市场佼佼者，同时也是64层堆叠的3DNAND的第一个量产厂商。因此，3DNAND领域的拼杀还是非常猛烈的。
没想到SK海力士官方网站在年10月25日报道其Q3情况时，就抖露出来了可靠消息，SK公司将在年上半年完成72层3DNAND的开发，从年下半年开始将对其批量生产。
若按计划进行，SK海力士将成为全球第一个量产72层3DNAND的闪存芯片厂商。在与三星、美光的3DNAND拼杀中，SK海力士可望在72层3DNAND的闪存芯片生产制造上处于领先地位。
但是，到目前为止，我们还是没有看到SK海力士72层3DNAND量产的消息。
当然，这是我们依据SK海力士官方消息的猜测，到底最后谁将成为3DNAND领域的最大赢家，目前还不能完全确定，毕竟3DNAND的应用也才刚刚开始，即便SK海力士第一个开发并量产72层的3DNAND，但产能将会如何，成本控制将会如何，可靠性稳定性将会如何，目前都还是一个秘。
不过，据说三星也有96层的3DNAND投入研发了，只是没有可靠消息透露出三星具体量产时间将会在什么时候。甚至还有消息说三星也在觊觎层3DNAND的技术研发。不管是否属实，但这足以让大家兴奋不已了。
当然，在3DNAND领域三星与SK海力士相互之间的PK由来已久，也就不足为奇了。
因为三星、海力士等闪存厂商在3DNAND量产上的速度加快，所以也导致了一段时间NAND供货紧张。
“站在一边看戏”的美光高层透露说，之前NAND缺货，主要是工厂转型造成，3DNAND生产周期比2DNAND长。随着2DNAND到3DNAND的工厂生产转型成熟，供货产能也会得到更好保障。
看到全球发展趋势来看，NAND比DRAM的增长还是会更高。未来，NAND整个市场趋势还是会表现不错。
有趣的是，即便在性能要求很高的企业级领域，SATA接口依然是绝对主流，占比反而还有所提升，接近了80％，SAS、PCI-E仍旧十分小众。因而只是从接口类型来看，SATA接口的SSD依然独领风骚。
⊙9-年：SSD开始撬动整个地球
来自老美的一篇好似预测的文章指出，企业级SSD将在年存在8大趋势，然而，在阿明看来，不仅仅是这8大趋势，更大的影响在于，随着企业级SSD在企业用户关键业务应用方面的深入，正在颠覆整个存储世界。
或许，还有人记得科技博客作者ROBINHARRIS在他的一篇名为《Thestoragetippingpoint》文章里面提到了闪存、SSD方面的深刻问题。“I/O堆栈的50年——以磁盘为基础，后发展为RAID——现在已经一去不复返。”这一切已经成为共识。
当然，客观地说，HDD技术使用了50多年，不会一夜之间消失，但这个行业必须发生改变。因为企业级SSD应用已经成为越来越令企业用户感到了好处大过弊端。
曾经被人预测年企业级SSD或将出现几大趋势，到底都印证了哪些呢？我们可以从这些印证中来说明企业级SSD的影响力与意义。
正如当时年被人预测的那样，年全闪存数据中心确实已经出现。
不过，我似乎记得最早提出全闪存数据中心概念的应该是SanDisk，来自于SanDisk的一位高层撰写的一篇文章，推崇全闪存数据中心将是大趋势。虽然我们没有看到SanDisk去成功构建全闪存数据中心的案例。但是，作为闪存领域的后生，中国国内的某企业级闪存厂商已经成功帮助某云构建了以PCIeSSD为基础的存储平台，当然，这样也可以方便云供应商为用户提供纯闪存化的存储服务。
这里的全闪存数据中心并非是采用全闪存阵列配置的数据中心，而是存储介质全部采用企业级SSD的方式。这就是SDS成为年的存储热点之一原因所在。
不仅如此，我们也看到国内不少企业级用户开始越来越多采用全闪存阵列，甚至如HPE、戴尔等诸多在闪存阵列开发与利用走向普及化的厂商来看，企业级SSD的价格与HDD相比，如果按照TCO和采购成本分别对照，都已经纷纷靠近或者甚至前者低于后者。
为此在年底左右，老美也有文章在预测企业级SSD趋势中指出了全闪存的软件定义存储将成为一个新潮流，这里谈到了SDS，更多的原因在于以VMware、Nexenta以及开源的Ceph等等在大行其道。
与此同时，阿明也看到了不少国内SDS领域的初创公司如雨后春笋般的成长。这都让业内人士感受到了企业级SSD的普及趋势使然，全闪存的数据中心从此也将进入更多的用户领域。再说也已经有国外企业用户将企业级SSD作为了数据归档的方式，这一切都证明了企业级SSD与HDD之间的关系发生了翻天覆地的变化。
⊙10全闪存启示：谨慎小心到底为什么？
对于传统企业级存储的综合厂商比如IBM、DellEMC、HPE、NetApp等，全闪存阵列只是他们其中一条创新的产品线，当全球全闪存阵列市场规模接近50亿美金的时候，这条创新存储产品线也就慢慢成为了他们的主打的产品了。
正因为这类厂商具备企业级存储的综合解决方案，甚至包括数据中心、混合云的整体解决方案设计与部署以及运维能力，因而更容易切入企业级用户市场的具体需求之中，从而赢得企业级用户的实际应用机会自然会比较多。
相对来说，ViolinMemory、PureStorage、NimbleStorage等一味专注全闪存的创新公司，产品更多聚焦全闪存，解决方案综合能力明显会比传统企业级存储厂商薄弱，包括市场拓展与覆盖能力以及渠道与服务能力都会比传统企业级存储厂商要弱，但他们的优势在于打破传统企业级存储的再创新。正因为他们的努力，才带动了整个全闪存阵列市场的启动、发展与快速增长。
毕竟从规模、体量、用户熟悉度、服务能力等综合因素来看来考量，创新公司的发展自然会受到很多挑战与阻力。这也是ViolinMemory、PureStorage、NimbleStorage等创新公司从当初的明星存储公司走向IPO之后，依然会面临退市的尴尬境地。好的去处也就是被合适的综合性企业级IT厂商收购，最终也会变成综合性企业级IT厂商的一条产品线而已。
既然这个全闪存市场已经处于非常活跃的状态，加上三星、美光、SK海力士三大3DNAND供应商的不断创新，可靠消息称64层3DNAND芯片在年下半年也将得到量产，甚至我们也看到有闪存卡厂商预计在年也将发售20TB的单卡容量产品的消息。这一切都在带动全闪存阵列市场再次成为企业级存储的聚焦点。
这一切都是存储技术本身发展的结果，但是，在中国市场上，也有不少国产存储厂商对外传出消息说正在或者即将推出自研的全闪存阵列产品，具体厂商名字这里就不点名了，相信大家都有耳闻啦。
由此可见，全闪存的漩涡似乎已经将所有触及企业级存储的国内外厂商全部带入了！
可是，不要忘记了，稳定性、性能、价格、扩展性这四大要素对于全闪存的考验。
不以应用为目的的全闪存都将迅速成为历史。首先考虑企业级用户的应用，那么就需要在稳定性上打磨很长一段时间。性能方面按照当前市场上存在的全闪存阵列的架构似乎每个人都很容易达到。但是要将性能与稳定性、扩展性同时最佳结合，就并非易事了。3DNAND技术的演进虽然可以在很大程度上降低全闪存阵列的整体价格，但是闪存软件优化也对价格起到很重要的作用。也就是说，不能将全闪存作为一个孤立的存储产品来看，而是需要作为一个整体的解决方案来对待。在企业级存储功能与用户最为